图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 39A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 66 mOhm @ 19.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 49nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2130pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 251W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
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